[发明专利]高密度纳米结构互连有效
| 申请号： | 200510062852.4 | 申请日： | 2005-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN1775656A | 公开（公告）日： | 2006-05-24 |
| 发明（设计）人： | 纳戈什·R.·巴萨万哈利;雷蒙德·A.·司瑞利;奥玛·D.·络皮兹 | 申请（专利权）人： | 朗迅科技公司 |
| 主分类号： | B82B1/00 | 分类号： | B82B1/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李春晖 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及高密度纳米结构互连。具体地，公开了用于形成导电和/或导热互连的方法和设备，其中，使第一表面和第二表面通过设置在所述表面中的至少一个上的多个纳米结构相互接触。在一个实施例中，纳米结构的第一组区域被设置在电子封装的部件例如微处理器上。然后使所述第一组区域与衬底上的纳米结构的对应的第二组区域接触，从而产生强的摩擦接合。在另一个说明性的实施例中，在部件比如微处理器上设置多个纳米结构，然后使纳米结构与衬底接触。纳米结构的分子和衬底的分子之间的吸引力产生分子间作用力，从而在纳米结构和衬底之间形成接合。 | ||
| 搜索关键词： | 高密度 纳米 结构 互连 | ||
【主权项】：
1.一种用于电学部件的互连，包括：第一表面；第二表面；设置在所述第一表面和所述第二表面的至少一个上的多个纳米结构；以及连接所述第一表面和第二表面的装置，使得所述纳米结构形成所述第一表面和所述第二表面之间的至少一个第一传导连接。
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