[发明专利]在半导体器件中形成隔离膜的方法无效
| 申请号： | 200510062882.5 | 申请日： | 2005-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN1767166A | 公开（公告）日： | 2006-05-03 |
| 发明（设计）人： | 柳春根 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在半导体器件中形成隔离膜的方法。依据本发明，该方法包括步骤：在半导体衬底中形成沟槽；在所形成的沟槽中形成第一高密度等离子体氧化物膜；使用C2F6气体与氧气的混合气体实施一回蚀刻工艺，以在形成有该第一高密度等离子体氧化物膜的所得整个表面上形成具有直立侧壁的第一高密度等离子体氧化物膜；以及在完成该回蚀刻工艺的所得整个表面上形成一第二高密度等离子体氧化物膜。因为该第一高密度等离子体氧化物膜上所形成的FSG膜中的氟离子扩散被减至最小，所以可改善器件的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 隔离 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的隔离膜的方法，包括步骤：在半导体衬底中形成沟槽；在所形成的沟槽中形成第一高密度等离子体氧化物膜；在形成有该第一高密度等离子体氧化物膜的所得整个表面上使用C2F6气体与O2气体的混合气体实施一回蚀刻工艺，从而形成具有直立侧壁的第一高密度等离子体氧化物膜；以及在完成了该回蚀刻工艺的所得整个表面上形成第二高密度等离子体氧化物膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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