[发明专利]静态随机存取存储器元件有效
| 申请号： | 200510063137.2 | 申请日： | 2005-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN1681126A | 公开（公告）日： | 2005-10-12 |
| 发明（设计）人： | 廖忠志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11 | 分类号： | H01L27/11;G11C11/34 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是一种静态随机存取存储器元件，包括基材与SRAM存储单元。基材包括一N型掺杂区穿插于第一P型掺杂区与第二P型掺杂区之间。SRAM存储单元则包括：第一通路栅晶体管与第一拉降晶体管，其至少部分位于该第一P型掺杂区之上；第一与第二拉升晶体管，其至少部分位于该N型掺杂区之上；以及第二通路栅晶体管，第二拉降晶体管，及第一与第二读出端口晶体管，其皆至少部分位于该第二P型掺杂区之上。其中该SRAM存储单元的格界包括第一与第二主要维度，而由上述主要维度所算出的该格界的长宽比至少为3.2。 | ||
| 搜索关键词： | 静态 随机存取存储器 元件 | ||
【主权项】：
1、一种静态随机存取存储器元件，其特征在于所述静态随机存取存储器元件包括：基材，包括一N型掺杂区穿插于第一P型掺杂区与第二P型掺杂区之间；以及静态随机存取存储器存储单元，包括：第一通路栅晶体管与第一拉降晶体管，其至少部分位于该第一P型掺杂区之上；第一与第二拉升晶体管，其至少部分位于该N型掺杂区之上；以及第二通路栅晶体管，第二拉降晶体管，及第一与第二读出端口晶体管，其皆至少部分位于该第二P型掺杂区之上；其中该静态随机存取存储器存储单元的格界包括第一与第二主要维度，且该格界的长宽比至少为3.2。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510063137.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：从发酵液的油相中提取4－雄烯二酮的方法
- 下一篇：半导体装置及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
