[发明专利]半导体集成电路器件的制造方法及探针卡有效
| 申请号： | 200510063520.8 | 申请日： | 2005-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN1681106A | 公开（公告）日： | 2005-10-12 |
| 发明（设计）人： | 冈元正芳;松本秀幸;寄崎真吾;长谷部昭男;本山康博;岛濑朗 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/66;G01R1/067;G01R1/073 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 对具有形成为窄间距的测试焊盘的半导体集成电路器件实现电测试。半导体集成电路器件的制造方法包括制备探针卡的步骤，该探针卡具有可以接触两个或多个电极的两个或多个接触端子。该步骤包括与其中形成第一布线的布线衬底相对，制备具有两个或多个接触端子以接触两个或多个电极的第一片；电连接到两个或多个接触端子和第一布线的第二布线；以及邻近两个或多个接触端子的形成区域、被布置到第二布线的非形成区域且不参与信号传送的第一虚拟布线。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 器件 制造 方法 探针 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路器件的制造方法，包括以下步骤：(a)制备已被分为两个或多个芯片区的半导体晶片，每个芯片区具有在其上方形成的半导体集成电路，并且所述半导体晶片具有在所述晶片的主表面上方形成的待电连接到所述半导体集成电路的两个或多个电极；(b)制备具有两个或多个接触端子的探针卡，该两个或多个接触端子可以接触所述两个或多个电极；以及(c)进行所述半导体集成电路的电测试，使所述两个或多个接触端子的尖端接触所述两个或多个电极；其中所述步骤(b)包括以下步骤：(b1)与其中形成第一布线的布线衬底相对，制备具有所述两个或多个接触端子以接触所述两个或多个电极的第一片；电连接到所述两个或多个接触端子和所述第一布线的第二布线；以及邻近所述两个或多个接触端子的形成区域、被布置到所述第二布线的非形成区且不参与信号传送的第一虚拟布线；以及(b2)在所述步骤(b1)之后，在可以从所述第一片的背面按压所述第一片的其中形成所述两个或多个接触端子的区域的状态下，将所述第一片粘附到所述布线衬底的上方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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