[发明专利]接近头加热方法和设备无效
| 申请号： | 200510063774.X | 申请日： | 2005-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN1722372A | 公开（公告）日： | 2006-01-18 |
| 发明（设计）人： | 卡特里娜·米哈力成科;约翰·德拉里奥斯 | 申请（专利权）人： | 拉姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种用于加热接近头中的流体的设备和方法。流体源向接近头中的通道提供流体。流体流入通道，经过接近头，流到位于接近头的底面上的出口。此外，在接近头内有对流体进行加热的加热部分。可以采用各种方法来对加热部分中的流体进行加热。例如，可以通过阻性加热和热交换来对流体进行加热。然而，任何用于加热接近头中的流体的机制都是可以的。在对流体进行加热后，接近头通过出口将经加热的流体提供给半导体晶片的表面。设置于出口附近的入口对经加热的流体进行抽吸，以从半导体晶片的表面去除经加热的流体。 | ||
| 搜索关键词： | 接近 加热 方法 设备 | ||
【主权项】：
1、一种用于半导体晶片处理的方法，包括以下步骤：向接近头提供流体；对接近头内的流体进行加热；以及将经加热的流体提供给半导体晶片的表面以用于晶片处理操作。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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