[发明专利]基于聚合物材料的单片集成温度、湿度、压力传感器芯片无效
申请号: | 200510063802.8 | 申请日: | 2005-04-07 |
公开(公告)号: | CN1845327A | 公开(公告)日: | 2006-10-11 |
发明(设计)人: | 赵湛;王奇;曾欢欢;方震;张博军 | 申请(专利权)人: | 中国科学院电子学研究所 |
主分类号: | H01L27/01 | 分类号: | H01L27/01;B81B7/00;G01K7/22;G01K7/18;G01N27/22;G01L1/22 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 100080北*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种基于聚合物材料的单片集成温度、湿度、压力的传感器芯片。在基片上制作出平行极板和三个电阻,其中平行极板是测量湿度的电容的一个电极,电阻作为测量压力的应变电阻和测量温度的热敏电阻。在平行极板上和电阻上制作一层聚合物,分别作为电容电介质感湿和弹性膜感知压力。在感湿电介质聚合物上有网格状极板,作为电容的另一个电极。在压力敏感膜上有和基片上制作的应变电阻结构相同电阻,上下电阻构成测压电桥。在压力敏感膜下面为空腔,可以真空密封,测量绝对压力。集成芯片上的单个电阻测量温度,平行极板电容测量湿度,压力敏感膜上下面的应变电阻测量压力。 | ||
搜索关键词: | 基于 聚合物 材料 单片 集成 温度 湿度 压力传感器 芯片 | ||
【主权项】:
1、一种基于聚合物材料的单片集成温度、湿度、压力传感器芯片,其特征在于:在玻璃上表面固接一面积相同的基片,基片右端适当位置设一空腔,空腔周圆四角上有四个接线点e、f、g、h;在空腔上方悬空设有第二电阻,第一电阻位于空腔侧面,第一电阻和第二电阻按常规与三个接线点e、f、g电连接,串连组成惠斯通电桥的一个桥臂;基片左端适当位置,于基片上表面设有上下相对的两块平行极板电容的下极板,两下极板与左侧接线点a和b电连接,在两下极板之间有一间隙,间隙内,于基片上表面容置一U形电阻,U形电阻的开口向右方,其端头上、下分别电连接有接线点c、d;在两下极板上方覆盖有一层聚合物材料薄膜,聚合物材料薄膜的上表面,与两下极板相对的位置,设有平行电容的上极板;在空腔、第一电阻和第二电阻上方也覆盖有另一层聚合物材料薄膜,另一层聚合物材料薄膜的上表面,与第二电阻相对应的固设有第四电阻,第三电阻位于空腔的另一侧面,与第一电阻相对设置,第三电阻和第四电阻按常规与三个接线点e、f、h电连接,串连组成惠斯通电桥的另一个桥臂;e、f、g、h组成惠斯通电桥的四个接线点;在惠斯通电桥所对应的另一层聚合物材料薄膜上固设有一层绝缘薄膜;四个接线点a、b、c、d位于两下极板和上极板周圆接近四角的位置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院电子学研究所,未经中国科学院电子学研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510063802.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的