[发明专利]制造半导体器件的方法和由此方法制造的半导体器件有效
| 申请号： | 200510063824.4 | 申请日： | 2005-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN1725440A | 公开（公告）日： | 2006-01-25 |
| 发明（设计）人： | 雷米什·卡卡德 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/20;H01L21/324;H01L21/28;H01L21/336;G02F1/135;G09G3/36;G09G3/38 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件和制造此器件的方法。所述方法包括：在衬底上沉积包含非晶硅的硅层；通过对所述硅层在H2O的气氛和预定的温度下使用退火工艺，部分结晶所述非晶硅；通过对部分结晶的非晶硅层使用激光退火工艺，形成多晶硅层；在所述多晶硅层上形成栅极绝缘层；和在栅极绝缘层上形成栅极电极，以使当非晶硅通过SPC工艺结晶时，防止由高温结晶引起的衬底弯曲，由此减少薄膜晶体管的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 由此 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上沉积包含非晶硅的硅层；通过对所述硅层在H2O的气氛和预定的温度下使用退火工艺，部分结晶非晶硅层；通过对所述部分结晶的非晶硅层使用激光退火工艺，形成多晶硅层；在所述多晶硅层上形成栅极绝缘层；和在所述栅极绝缘层上形成栅极电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
