[发明专利]半导体存储装置无效
| 申请号： | 200510063895.4 | 申请日： | 2005-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN1684200A | 公开（公告）日： | 2005-10-19 |
| 发明（设计）人： | 高桥弘行 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/409 | 分类号： | G11C11/409;G11C11/419;G11C7/00;G06F11/10 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;关兆辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明要解决的问题是当写入数据比由存储核心一并传送的数据量还少时，不能产生纠错比特。本发明的半导体存储装置，其特征在于，具有从规定比特的数据生成纠错比特的纠错比特生成电路，利用从外部导入的数据和存储在存储单元中的数据，生成上述纠错比特。更详细地讲，具有：写放大器，接收从外部导入的第1数据；第1存储单元组，存储了与和上述第1数据相关的地址相对应的第2数据；纠错比特生成电路，根据上述第1和第2数据生成纠错比特；第2存储单元组，存储上述第1数据；和第3存储单元组，存储上述纠错比特。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，其特征在于，具有从规定比特的数据生成纠错比特的纠错比特生成电路，利用从外部导入的数据和存储在存储单元中的数据，生成上述纠错比特。
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