[发明专利]光半导体集成电路装置有效
| 申请号： | 200510063927.0 | 申请日： | 2005-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN1677685A | 公开（公告）日： | 2005-10-05 |
| 发明（设计）人： | 高桥强;冈部克也;初谷明 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/14 | 分类号： | H01L27/14 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李贵亮;杨梧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种光半导体集成电路装置，在蓝激光用的光电二极管中，具有位于光电二极管的受光区域上面的开口部的台阶会使遮光膜破断这样的问题。在本发明的光半导体集成电路装置中，在光电二极管的受光区域，通过在绝缘层上阶梯状地形成开口部，降低开口部的台阶。由此，改善覆盖于其上的遮光膜的分步敷层。因此，位于光电二极管的受光区域上面的开口部的台阶不会使遮光膜破断。因此，解决了现有的遮光膜破断这样的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 装置 | ||
【主权项】：
1、一种光半导体集成电路装置，其内装形成于半导体层上的光电二极管，其特征在于，在层积于所述半导体层表面的绝缘层上，在所述光电二极管的受光区域上阶梯状形成开口部，并在所述绝缘层上覆盖遮光膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
