[发明专利]半导体器件的制造方法及通过该方法制造的半导体器件有效
| 申请号： | 200510064063.4 | 申请日： | 2005-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN1722385A | 公开（公告）日： | 2006-01-18 |
| 发明（设计）人： | 雷米什·卡卡德;金容奭 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/20;H01L21/324;H01L21/8234;G02F1/1368;G09G3/38 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种半导体器件及其制造方法。所述方法包括：在衬底上淀积包含非晶硅的硅层；通过用杂质离子掺杂所述硅层来界定源极区和漏极区；通过在预定温度下、H2O气氛中的退火工艺晶化所述非晶硅，同时激活所述杂质离子以形成半导体层；在具有所述半导体层的所述衬底的整个表面上方形成栅极绝缘层；以及在所述栅极绝缘层上对应于所述半导体层的沟道区形成栅电极。在该方法中，通过晶化多晶硅并同时激活杂质离子来简化退火工艺，由此防止衬底由于退火工艺期间的高温而变形。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 通过 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，包括：在衬底上淀积包括非晶硅的硅层；通过用杂质离子掺杂所述硅层来界定源极区和漏极区；通过在预定温度下、H2O气氛中的退火工艺晶化所述非晶硅，同时激活所述杂质离子以形成半导体层；在具有所述半导体层的所述衬底的整个表面上方形成栅极绝缘层；以及在所述栅极绝缘层上对应于所述半导体层的沟道区形成栅电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
