[发明专利]高阻值的硅层及其制造方法有效
| 申请号： | 200510064100.1 | 申请日： | 2005-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN1848379A | 公开（公告）日： | 2006-10-18 |
| 发明（设计）人： | 杨玉琪 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/22;H01L21/24;H01L21/283;H01L21/76 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种高阻值的硅层，其配置于基底上。此高阻值的硅层包括多个硅材料层以及配置于相邻二硅材料层之间的界面层。其中，这些硅材料层与界面层中具有掺杂物，且所注入的掺杂物剂量介于1×1014～5×1015离子/平方厘米，而且硅材料层之间具有不同的晶界。 | ||
| 搜索关键词： | 阻值 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种高阻值的硅层，配置于一基底上，该高阻值的硅层包括：多个硅材料层；以及一界面层，配置于相邻二该些硅材料层之间，其中，该些硅材料层与该界面层中具有掺杂物，且所注入的掺杂物剂量介于1×1014～5×1015离子/平方厘米，而且该些硅材料层之间具有不同的晶界(Grain Boundary)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
