[发明专利]存储增益单元和制造这种存储增益单元的方法有效

专利信息
申请号: 200510064109.2 申请日: 2005-04-11
公开(公告)号: CN1716608A 公开(公告)日: 2006-01-04
发明(设计)人: 古川俊治;马克·C·哈基;戴维·V·霍雷克;查尔斯·W·科伯格第三;马克·E·马斯特斯;彼得·H·米切尔 申请(专利权)人: 国际商业机器公司
主分类号: H01L27/10 分类号: H01L27/10;H01L21/8239
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波;侯宇
地址: 美国纽*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种用于存储电路的增益单元,一种由多个增益单元形成的存储电路,以及制作此种增益单元和存储电路的方法。所述存储增益单元包括存储电容器,写入部件和读取部件,所述写入部件与所述存储电容器电连接,从而对所述存储电容器进行充电和放电,以限定存储电荷。所述读取部件包括一个或多个半导电的碳纳米管,其每一个均电连接在源极和漏极之间。每个碳纳米管的一部分均受读取栅极和存储电容器的栅控,由此调整通过每个半导电的碳纳米管由源极流至漏极的电流。所述电流与所述存储电容器存储的电荷成正比。在某些实施例中,所述存储增益单元可以包括多个存储电容器。
搜索关键词: 存储 增益 单元 制造 这种 方法
【主权项】:
1.一种存储增益单元,其包括:能够保持所存储的电荷的第一存储电容器,以及一读取部件,其包括源极、漏极、读取栅极和至少一个半导电的碳纳米管。所述碳纳米管具有与所述源极电连接的第一末端,与所述漏极电连接的第二末端,以及位于所述第一和第二末端之间的第一部分。所述第一部分受所述读取栅极和所述第一存储电容器栅控,以此调整通过所述至少一个半导电的碳纳米管从所述源极流至所述漏极的电流。当所述第一部分受到栅控时,流经所述至少一个半导电的碳纳米管的电流取决于存储在所述第一存储电容器中的电荷。
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