[发明专利]存储增益单元和制造这种存储增益单元的方法有效
申请号: | 200510064109.2 | 申请日: | 2005-04-11 |
公开(公告)号: | CN1716608A | 公开(公告)日: | 2006-01-04 |
发明(设计)人: | 古川俊治;马克·C·哈基;戴维·V·霍雷克;查尔斯·W·科伯格第三;马克·E·马斯特斯;彼得·H·米切尔 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L27/10 | 分类号: | H01L27/10;H01L21/8239 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
地址: | 美国纽*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种用于存储电路的增益单元,一种由多个增益单元形成的存储电路,以及制作此种增益单元和存储电路的方法。所述存储增益单元包括存储电容器,写入部件和读取部件,所述写入部件与所述存储电容器电连接,从而对所述存储电容器进行充电和放电,以限定存储电荷。所述读取部件包括一个或多个半导电的碳纳米管,其每一个均电连接在源极和漏极之间。每个碳纳米管的一部分均受读取栅极和存储电容器的栅控,由此调整通过每个半导电的碳纳米管由源极流至漏极的电流。所述电流与所述存储电容器存储的电荷成正比。在某些实施例中,所述存储增益单元可以包括多个存储电容器。 | ||
搜索关键词: | 存储 增益 单元 制造 这种 方法 | ||
【主权项】:
1.一种存储增益单元,其包括:能够保持所存储的电荷的第一存储电容器,以及一读取部件,其包括源极、漏极、读取栅极和至少一个半导电的碳纳米管。所述碳纳米管具有与所述源极电连接的第一末端,与所述漏极电连接的第二末端,以及位于所述第一和第二末端之间的第一部分。所述第一部分受所述读取栅极和所述第一存储电容器栅控,以此调整通过所述至少一个半导电的碳纳米管从所述源极流至所述漏极的电流。当所述第一部分受到栅控时,流经所述至少一个半导电的碳纳米管的电流取决于存储在所述第一存储电容器中的电荷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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