[发明专利]非易失性半导体存储器件有效
| 申请号： | 200510064128.5 | 申请日： | 2005-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN1681043A | 公开（公告）日： | 2005-10-12 |
| 发明（设计）人： | 诹访仁史;小宫学;富田泰弘 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C7/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 从状态寄存器输出表示写指令的执行状态的n位状态信号。在写数据时，输出切换电路输出(n×m)位数据，在该(n×m)位数据中，状态信号图形重复m次。在数据读取时，输出切换电路将存储在存储单元阵列中的数据输出。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
1、一种非易失性半导体存储器件，用于输出状态信号，该状态信号具有比输入数据宽度更宽的输出数据宽度并表示写指令的执行状态，所述非易失性半导体器件包括：存储单元阵列，该存储单元阵列具有设置在其上的多个非易失性存储单元；和控制电路，用于控制对该存储单元阵列的访问，其中该控制电路包括：状态信号输出部件，用于输出具有数据宽度为n(n是自然数)的状态信号；和输出切换部件，用于在具有数据宽度为(n×m)的信号和存储在该存储单元阵列中的数据之间切换输出，其中在具有数据宽度为(n×m)的信号中，相同的状态信号图形重复m次(m是自然数)。
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