[发明专利]光敏元件以及固体成像器件有效
申请号: | 200510064173.0 | 申请日: | 2005-04-13 |
公开(公告)号: | CN1684265A | 公开(公告)日: | 2005-10-19 |
发明(设计)人: | 塚本朗 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H01L31/08 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 王英 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 光敏元件包括半导体衬底,其设置有将入射光进行转换的光接收部分以及信号读出部分;光接收部分上形成有遮光层并具有开口;填充开口的透光绝缘层。满足2nW≥λmax的关系,其中W代表开口的最小宽度;n代表从遮光层的最上表面到光接收部分表面之间位置的绝缘层的平均折射率;以及λmax代表光接收部分的感光波长范围的最大波长。可以缩小光接收部分的开口率,而不导致有效波长范围的长波长侧灵敏度的下降,和光谱特性的变化。 | ||
搜索关键词: | 光敏 元件 以及 固体 成像 器件 | ||
【主权项】:
1、一种光敏元件包括:半导体衬底,其设置有将入射光进行光电转换的光接收部分以及读出累积在该光接收部分中的信号电荷的信号读出部分;形成在该光接收部分上、具有开口的遮光层;以及透明绝缘层,形成为用于填充该开口;其中满足2nW≥λmax的关系,W表示该遮光层中开口的最小宽度,n表示与沿该开口的该遮光层的最上面的表面相对应的位置、以及与该光接收部分的表面相对应的位置之间的区域的该绝缘层的平均折射率,而λmax表示该光接收部分的感光波长范围的最大波长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的