[发明专利]金属薄膜及其制造方法、电介质电容器及其制造方法及半导体装置有效
| 申请号： | 200510064346.9 | 申请日： | 2005-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN1684260A | 公开（公告）日： | 2005-10-19 |
| 发明（设计）人： | 沢崎立雄;黑川贤一;田川辉男;土屋健一 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了金属薄膜及其制造方法、电介质电容器及其制造方法、以及半导体装置。本发明的金属薄膜是具有设置于给定基体上方的面心立方型结晶结构的金属薄膜，所述薄膜(111)面优先定向，并且在其表面呈现出不与所述基体表面平行的(100)面。此外，在本发明的金属薄膜中，具有所述面心立方型结晶结构的金属包括从Pt、Ir及Ru的组中选出的至少一个。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 薄膜 及其 制造 方法 电介质 电容器 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种金属薄膜，具有设置于给定基体上方的面心立方型结晶结构，其中，所述薄膜的(111)面优先定向，并且，在其表面呈现出不平行于所述基体表面的(100)面。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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