[发明专利]存储器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200510064441.9 | 申请日： | 2005-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN1728387A | 公开（公告）日： | 2006-02-01 |
| 发明（设计）人： | 张世亿;郑台愚;金瑞玟;金愚镇;朴滢淳;金荣福;梁洪善;孙贤哲;黄应林 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;H01L27/108;H01L21/8239;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明关于一种存储器件及其制造方法。所述存储器件包括：具有沟槽的衬底；形成在所述沟槽下方的位线接触结；形成在所述沟槽外的多个储存节点接触结；及多个栅结构，每个所述栅结构形成在位于所述位线接触结及一个所述储存节点接触结之间的衬底上。特别地，所述沟槽的每个侧壁成为各个沟道的一部分，由此所述胞区内晶体管的沟道长度被延长。亦即，每两个所述储存节点接触结与所述沟道区之间的距离增大。由此，所述储存节点接触结的漏电流水平降低，从而提高了数据的保持时间。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器件，包括：具有沟槽的衬底；形成在所述沟槽下方的位线接触结；形成在所述沟槽外的多个储存节点接触结；及多个栅结构，其每个形成在位于所述位线接触结和一个储存节点接触结之间的衬底上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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