[发明专利]半导体制造装置有效
| 申请号： | 200510064655.6 | 申请日： | 2005-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN1832103A | 公开（公告）日： | 2006-09-13 |
| 发明（设计）人： | 郑敬锡;韩圭熙;郑和俊;林暻春;金承炫 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/205;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 韩明星;李云霞 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示了一种可以使蒸镀在晶片表面的薄膜厚度均匀的半导体制造装置。所揭示的半导体制造装置，包含：用于支持晶片而可旋转地设置在反应室内的支持部件；用于向晶片上部分散供应工程气体的气体供应装置。气体供应装置包含具有从晶片旋转中心相隔距离互不相同的位置上形成多个排气孔的气体分配板。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 装置 | ||
【主权项】：
1、一种半导体制造装置，包含用于支持晶片而可旋转地设置在反应室内的支持部件、用于向所述晶片上部分散供应工程气体的气体供应装置，其特征在于：所述气体供应装置，包含从所述晶片旋转中心相隔不同距离的位置形成多个排气孔的气体分配板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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