[发明专利]漂洗和干燥半导体晶片的设备和方法无效

专利信息
申请号: 200510064903.7 申请日: 2005-04-08
公开(公告)号: CN1684232A 公开(公告)日: 2005-10-19
发明(设计)人: 金洪奭 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L21/302 分类号: H01L21/302;H01L21/00
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 林宇清;谢丽娜
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 用于漂洗和干燥半导体晶片的设备包括漂洗浴槽、干燥浴槽和干燥室。漂洗浴槽和干燥浴槽通过浴槽隧道单元连接,防止在被从漂洗浴槽传送到干燥浴槽的同时半导体晶片暴露于空气。因此,防止在半导体晶片上形成水印。用于漂洗和干燥半导体晶片的方法包括在漂洗浴槽中漂洗晶片,通过隧道单元将晶片传送到干燥浴槽,防止半导体晶片暴露于空气,以及在干燥浴槽中处理晶片之后,将晶片传送到干燥室。
搜索关键词: 漂洗 干燥 半导体 晶片 设备 方法
【主权项】:
1.一种半导体晶片漂洗和干燥设备,包括:漂洗单元;干燥单元,其中干燥单元包括干燥浴槽和干燥室;浴槽隧道单元,其中浴槽隧道单元包括将漂洗浴槽连接到干燥浴槽的浴槽连接管和打开和闭合浴槽连接管的打开/闭合单元;以及用于从漂洗单元传送多个半导体晶片到浴槽连接管和干燥浴槽的晶片传送单元。
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