[发明专利]用于半导体器件制造的掩膜图案及其形成方法、和制造有精细图案的半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200510064908.X | 申请日： | 2005-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN1684229A | 公开（公告）日： | 2005-10-19 |
| 发明（设计）人： | 夏政焕;金贤友;尹辰永;畑光宏;苏布拉马尼安·科拉克·马亚;禹相均 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/004 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 樊卫民;郭国清 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了包括自组装分子层的掩膜图案、形成它的方法和制造半导体器件的方法。掩膜图案包括在半导体衬底上形成的抗蚀图案和在抗蚀图案的至少侧壁上形成的自组装分子层。为形成掩膜图案，首先，在覆盖衬底的底层上形成具有开孔的抗蚀图案以暴露底层至第一宽度。然后，在抗蚀图案的表面上选择性地形成自组装分子层以暴露底层至比第一宽度小的第二宽度。使用抗蚀图案和自组装分子层作为蚀刻掩膜蚀刻底层，从而得到精细图案。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体器件 制造 图案 及其 形成 方法 精细 | ||
【主权项】：
1.一种用于半导体器件制造的掩膜图案，包括：在半导体衬底上形成的抗蚀图案；和在抗蚀图案的至少侧壁上形成的自组装分子层。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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