[发明专利]半导体集成电路、形成其的方法和调节其电路参数的方法无效
| 申请号： | 200510065042.4 | 申请日： | 2005-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN1691321A | 公开（公告）日： | 2005-11-02 |
| 发明（设计）人： | 久野勇;鸨田英明 | 申请（专利权）人： | 川崎微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L27/04;H01L21/768;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 钟强;谷惠敏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供了一种包括可以通过低电流进行编程的多晶硅熔丝的半导体集成电路。公开了包括可以通过提供编程电流进行编程的多晶硅熔丝的示例性半导体集成电路。该熔丝由具有1.7至6kΩ/sq的表面电阻的多晶硅膜形成。结果，该多晶硅熔丝具有高的电阻，并且可以通过低电流进行编程。因此，即使在通过具有高电阻的导线提供编程电流时，仍可以对熔丝进行编程且具有高的产出量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 形成 方法 调节 电路 参数 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路，包括：可以通过提供编程电流进行编程的熔丝，包括由多晶硅膜形成的多晶硅图形，该多晶硅图形包括电极区域和该电极区域之间的电阻器区域，其中至少是除去相邻于电极区域的末端部分以外的电阻器区域部分具有1.7至6kΩ/sq的表面电阻。
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