[发明专利]隧道磁阻器件无效

专利信息
申请号: 200510065121.5 申请日: 2005-04-08
公开(公告)号: CN1681142A 公开(公告)日: 2005-10-12
发明(设计)人: 寺亮之介;丰田稻男;铃木康利 申请(专利权)人: 株式会社电装
主分类号: H01L43/08 分类号: H01L43/08;H01L43/12
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 过晓东
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种隧道磁阻(TMR)器件,其具有包含一个下端电极层、一个钉扎层、一个隧道势垒层、一个自由层和一个上端电极层的结构,其可在基底上连续地形成。该隧道势垒层基本上具有化学计量组成。该隧道势垒层可为由ALD法形成的氧化铝薄膜。
搜索关键词: 隧道 磁阻 器件
【主权项】:
1.一种隧道磁阻器件,其包含:一个钉扎层;一个在所述钉扎层上形成的隧道势垒层;以及一个在所述隧道势垒层上形成的自由层;所述隧道势垒层基本上具有化学计量组成。
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