[发明专利]隧道磁阻器件无效
| 申请号： | 200510065121.5 | 申请日： | 2005-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN1681142A | 公开（公告）日： | 2005-10-12 |
| 发明（设计）人： | 寺亮之介;丰田稻男;铃木康利 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种隧道磁阻(TMR)器件，其具有包含一个下端电极层、一个钉扎层、一个隧道势垒层、一个自由层和一个上端电极层的结构，其可在基底上连续地形成。该隧道势垒层基本上具有化学计量组成。该隧道势垒层可为由ALD法形成的氧化铝薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 隧道 磁阻 器件 | ||
【主权项】：
1.一种隧道磁阻器件，其包含：一个钉扎层；一个在所述钉扎层上形成的隧道势垒层；以及一个在所述隧道势垒层上形成的自由层；所述隧道势垒层基本上具有化学计量组成。
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