[发明专利]磁记录介质和磁存储器无效
| 申请号： | 200510065151.6 | 申请日： | 2005-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN1797551A | 公开（公告）日： | 2006-07-05 |
| 发明（设计）人： | 乡家隆志 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/66 | 分类号： | G11B5/66;G11B5/73;G11B5/84 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁香兰 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磁记录介质，该磁记录介质可以提高记录层的矫顽力Hc并改善记录层的信噪比，而不降低记录层的耐热波动性，并且可以实现高密度记录。该磁记录介质包括基底、由晶体材料形成的籽晶层、粒径控制层、底层和记录层。该粒径控制层由Ag膜或者W膜形成，是在籽晶层上的散布膜或者连续膜。该粒径控制层用作在其上形成的底层的生长核，并控制底层的晶粒直径。具体而言，当粒径控制层淀积为散布层时，底层在籽晶层和粒径控制层上生长，由于籽晶层表面的影响，可以提高底层的晶体性能。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 介质 磁存储器 | ||
【主权项】：
1、一种磁记录介质，该磁记录介质包括：基底；在所述基底上由晶体材料形成的籽晶层；在所述籽晶层上的粒径控制层；在所述粒径控制层上的底层；和在所述底层上的记录层，其中，所述粒径控制层由Ag、W、Cu、Mo、Cr、Au、Mn、Rh、Ta、V以及它们的合金中的一种材料形成。
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