[发明专利]一种晶片散热结构及其结构制造方法无效

专利信息
申请号: 200510065166.2 申请日: 2005-04-08
公开(公告)号: CN1845319A 公开(公告)日: 2006-10-11
发明(设计)人: 黄明汉;郑裕强;陈兆逸;郭欣陇;李秉蔚;萧惟中;李秉峰 申请(专利权)人: 神基科技股份有限公司
主分类号: H01L23/373 分类号: H01L23/373;H01L23/34;G06F1/20
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 任永武
地址: 台湾省新竹科学工*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明是揭露一种晶片散热结构及其结构制造方法,该散热结构是用于传导晶片所产生的热,其中包含一具电路结构的底板、一中央处理单元的晶粒及一封盖。该封盖为一导热材料且包含一金属及一架状结构的碳元素;此架状结构的碳元素具高导热系数的特性以提高导热材料的导热效果。该导热材料制造方法则可以化学气相沉积、物理气相沉积、电镀、或其他材料制备方法来完成且该架状结构的碳元素可以是包覆于金属表面或直接掺杂于金属材料之中。
搜索关键词: 一种 晶片 散热 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种晶片散热结构,适用于一晶粒散热的用途,该散热结构包含:一底板具有一上表面,该上表面提供该晶粒的一底面设置的用,且该底面与该上表面间具有一电性连接关是;以及一封盖具有一上平面及对应的一下平面且该平面的四边缘各向下垂直延伸一侧面,使该下平面及该侧面间形成一空间是容置该晶粒并使该侧面所延伸的一底边恰好对应贴合于该底板的该上表面的一边缘;其中,该晶粒的该底面对应的一顶面与该封盖的该下平面间更夹一热接触层,且该封盖是结合一金属及一架状结构的碳元素形成一导热材料。
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