[发明专利]含电路的光检测器及其制造方法和使用其的光装置无效
| 申请号： | 200510065213.3 | 申请日： | 2001-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN1667783A | 公开（公告）日： | 2005-09-14 |
| 发明（设计）人： | 谷善彦;林田茂树;森冈达也;柿本诚三;福岛稔彦 | 申请（专利权）人： | 夏普公司 |
| 主分类号： | H01J27/14 | 分类号： | H01J27/14;H01J31/00;G01J1/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 马高平;杨梧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种具有对短波长光具有高灵敏度和响应速度的、并能以高成品率制造的含电路的光检测器，包括：半导体衬底、形成于其上的半导体层以及形成于半导体层用于发送信号的导电掺杂区。在半导体层中，形成具有到达衬底的深度的沟道。在暴露在沟道底部的半导体衬底的表面上形成光检测器组件的掺杂区。在半导体层上形成用于处理来自光检测器的电信号的信号处理电路。形成用于发送来自光检测器组件的电信号的导电掺杂区。 | ||
| 搜索关键词： | 电路 检测器 及其 制造 方法 使用 装置 | ||
【主权项】：
1.一种含电路的光检测器，具有半导体衬底、形成于半导体衬底上的光检测器组件和用于处理来自光检测器组件的电信号的电路，包括：在半导体衬底上生长的、并且电路形成于其上的半导体层；形成于半导体层中的并且深度到达半导体衬底的沟道；形成于暴露在沟道底部的半导体衬底的表面上的掺杂区，该掺杂区构成光检测器组件；以及以自调整方式形成于从沟道的底部到半导体层的上表面的硅化物膜，用于将来自光检测器的电信号发送到电路。
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