[发明专利]半导体器件的制造方法无效

专利信息
申请号: 200510065235.X 申请日: 2004-04-28
公开(公告)号: CN1783446A 公开(公告)日: 2006-06-07
发明(设计)人: 今村博之;幸谷信之 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L21/48;H05K3/00
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 黄剑锋
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供半导体器件的制造方法。该方法包括在一布线基板上搭载半导体元件,其中该布线基板包括绝缘性基材、在所述绝缘性基材上排列设置的多个导体布线、以及分别在所述导体布线上形成的突起电极,其中所述突起电极跨越所述导体布线中的对应一个导体布线的长度方向设置以延伸跨过在所述绝缘性基材上的所述导体布线两侧的区域,所述突起电极在所述导体布线的宽度方向上所取的剖面形状为,中央部分高于两侧的部分;以及将所述半导体元件的电极焊盘连接至所述突起电极,从而形成在所述半导体元件的所述电极焊盘和所述导体布线之间通过所述突起电极的连接。导体布线上形成的突起电极对于横方向上施加的力保持实用上足够的强度。
搜索关键词: 半导体器件 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体器件的制造方法,包括以下步骤:在一布线基板上搭载半导体元件,其中该布线基板包括绝缘性基材、在所述绝缘性基材上排列设置的多个导体布线、以及分别在所述导体布线上形成的突起电极,其中所述突起电极跨越所述导体布线中的对应一个导体布线的长度方向设置以延伸跨过在所述绝缘性基材上的所述导体布线两侧的区域,所述突起电极在所述导体布线的宽度方向上所取的剖面形状为,中央部分高于两侧的部分;以及将所述半导体元件的电极焊盘连接至所述突起电极,从而形成在所述半导体元件的所述电极焊盘和所述导体布线之间通过所述突起电极的连接。
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