[发明专利]固态图像传感器无效
申请号: | 200510065266.5 | 申请日: | 2005-04-15 |
公开(公告)号: | CN1684269A | 公开(公告)日: | 2005-10-19 |
发明(设计)人: | 宫川良平;田中晶二 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张雪梅;陈景峻 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种固态图像传感器,其包括具有多个象素的半导体衬底1,并且每个象素包括杂质层2、光电转换层4、读出区域5和栅电极7。该杂质层2包括与位于栅电极7下紧挨栅电极7的衬底1的一部分相邻的邻接部分。该邻接部分包括沿栅极的宽度方向排列的子部分2a、2b和2c,所述栅极的宽度方向与信号电荷的输运方向以及衬底的厚度方向垂直。包含该邻接部分的中心的子部分2a中的杂质浓度低于子部分2b和2c中的杂质浓度。 | ||
搜索关键词: | 固态 图像传感器 | ||
【主权项】:
1、一种固态图像传感器,其具有多个象素,每个象素包括:杂质层,基本位于半导体衬底表面并通过向衬底中掺入杂质形成;光电转换层,位于杂质层下紧挨着杂质层的衬底中,并且根据所接收的光量产生信号电荷;读出区域,位于衬底内且远离杂质层和光电转换层,并且产生的信号电荷向其输运;以及栅电极,放置在衬底上以覆盖杂质层和读出区域之间的衬底的至少一部分,并且控制信号电荷从光电转换层向读出区域的输运,其中杂质层包括与位于栅电极下紧挨着栅电极的衬底的一部分邻接的部分,该邻接部分包括沿栅极的宽度方向排列的多个子部分,所述宽度方向与信号电荷的输运方向以及衬底的厚度方向垂直,并且包含该邻接部分的中心的子部分的杂质浓度低于其它子部分中的杂质浓度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社,未经松下电器产业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510065266.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的