[发明专利]一种制造用于低缺陷的半导体元件的衬底晶片的方法、利用该方法获得的元件及其应用无效
| 申请号： | 200510065519.9 | 申请日： | 2005-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN1691281A | 公开（公告）日： | 2005-11-02 |
| 发明（设计）人： | C·戈尔戈尼;B·施佩特;I·克勒;J·甘沙德;P·布劳姆;W·贝尔 | 申请（专利权）人： | 肖特股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/324;H01L21/00;H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 卢新华;段晓玲 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明描述了一种制造用于低缺陷的半导体元件的衬底晶片的方法。在该方法中，形成一个单晶，它具有与其c－轴垂直的[0001]表面，将所述单晶细分成薄盘，其中至少一个盘表面要被涂覆，使所述至少一个盘表面平滑，以及在超过1770K的温度对至少一个薄盘回火。优选地在具有减小的氧气分压的无尘环境中在超过1770K的温度下回火至少10分钟。Al2O3是单晶的优选材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制造 用于 缺陷 半导体 元件 衬底 晶片 方法 利用 获得 及其 应用 | ||
【主权项】：
1、一种制造用于低缺陷的半导体元件的衬底晶片的方法，所述方法包括以下步骤：a)形成一个单晶，它具有与其c-轴垂直的[0001]表面；b)将所述单晶细分成至少一个薄盘，该盘具有至少一个待涂覆的盘表面；c)使所述至少一个盘表面平滑；以及d)在超过1770K的温度对至少一个薄盘回火。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于肖特股份有限公司，未经肖特股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510065519.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
