[发明专利]垂直场效应晶体管及其制作方法和含有它的显示装置有效
| 申请号： | 200510065522.0 | 申请日： | 2005-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN1667805A | 公开（公告）日： | 2005-09-14 |
| 发明（设计）人： | M·雷德克;J·费希尔;A·马西 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/772;H01L51/00;G09F9/30 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘红;陈景峻 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种垂直场效应晶体管及其制作方法和含有它的显示装置。该方法能高度再现且可低成本地制作垂直有机场效应晶体管。此外，该方法并不需要使用光刻和遮蔽掩膜。在垂直场效应晶体管中，在衬底上形成源电极，并形成绝缘层和间断栅电极。然后，形成电荷载流子阻挡层、有机半导体材料和漏电极。使用纳米颗粒来形成栅电极。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 场效应 晶体管 及其 制作方法 含有 显示装置 | ||
【主权项】：
1、一种垂直场效应晶体管的制作方法，该方法包括：在衬底上形成第一电极；在第一电极的一个表面上形成绝缘层；通过使用纳米颗粒在绝缘层上形成间断栅电极；在间断栅电极的至少一部分上形成电荷载流子阻挡层；形成覆盖了间断栅电极的间断部分的有机半导体层；和在有机半导体层和间断栅电极上形成第二电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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