[发明专利]增强响应IC中信号的光发射的设备、系统和方法有效
申请号: | 200510065559.3 | 申请日: | 2005-04-15 |
公开(公告)号: | CN1731581A | 公开(公告)日: | 2006-02-08 |
发明(设计)人: | 钱德勒·托德·迈克多维尔;斯坦尼斯拉夫·波伦斯基;宋培林;弗兰克·斯特拉里;阿兰·J·维格尔 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L27/00 | 分类号: | H01L27/00;H01L23/544;H01L21/66 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 李德山 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明揭示用来利用如皮秒成像电路分析(PICA)增强响应集成电路(IC)内信号的光子发射以便观察信号状态的方法和设备。实施例中将置标连结到感兴趣的信号,并跨该置标施加电压以增强响应感兴趣的信号的光子发射。该电压大于可操作电路电压,Vdd,从而增强光子发射的强度和能量。因此,光子发射更能与噪声区分开来。在很多实施例中,置标包括晶体管,且在几个实施例中,该置标包括启用装置以便启用和禁用置标的光子发射。而且,PICA检测器可捕获置标的光子发射并处理光子以产生时间迹线。 | ||
搜索关键词: | 增强 响应 ic 信号 发射 设备 系统 方法 | ||
【主权项】:
1、一种增强响应工作的集成电路中信号的光子发射的装置,该装置包括:工作的集成电路的电路,其适于施加信号至导体,其中所述信号的幅值为第一电源电压或低于第一电源电压;和晶体管,其具有与第二电源电压耦合的沟道和与所述导体耦合的栅极,从而响应所述信号加速通过沟道的载流子,其中所述第二电源电压大于第一电源电压以通过载流子产生光子发射。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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