[发明专利]接触窗开口的形成方法与半导体元件的制造方法

摘要

一种接触窗开口的形成方法，此方法先提供基底，此基底上已形成有多个元件结构，且此元件结构与基底表面上覆盖有第一介电层与导体层，而且导体层于两相邻元件结构之间具有一凹陷处。之后，于凹陷处形成一对复合间隙壁。继之，以复合间隙壁为掩模，移除裸露的部分导体层，以于相邻二元件结构之间形成多个开口。之后，于开口的导体层侧壁上形成第二介电层。在于基底上形成第三介电层后，移除部分的第三介电层以及位于开口底部的第一介电层以形成自行对准接触窗开口。

主权项

1、一种接触窗开口的形成方法，包括：提供一基底，该基底上已形成有多个元件结构，且该些元件结构与该基底表面上依序覆盖有一第一介电层与一导体层，而且该导体层于两相邻元件结构之间具有一凹陷处；于该凹陷处形成一对复合间隙壁(Composite Spacer)，该复合间隙壁由位于下层的一间隙壁材料层与位于上层的一间隙壁保护层所构成，且该导体层对该间隙壁保护层的蚀刻选择比大于该导体层对该间隙壁材料层的蚀刻选择比；以该复合间隙壁为掩模，移除裸露的部分该导体层，以于相邻二该些元件结构之间的该导体层中形成多个开口；于该些开口的该导体层侧壁上形成一第二介电层；于该基底上形成一第三介电层，覆盖该些元件结构与该导体层；以及移除部分该第三介电层以及位于该些开口底部的该第一介电层以形成多个自行对准接触窗开口。