[发明专利]非挥发性存储器及其操作方法无效
申请号: | 200510065577.1 | 申请日: | 2005-04-18 |
公开(公告)号: | CN1855502A | 公开(公告)日: | 2006-11-01 |
发明(设计)人: | 杨青松;翁伟哲;卓志臣 | 申请(专利权)人: | 力晶半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115;G11C16/02;H01L21/8247 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种非挥发性存储器,具有排列成阵列的多个存储单元行。各个存储单元行由具有电荷陷入层的多个存储单元与行选择单元所构成,各存储单元之间无间隙且存储单元与行选择单元亦无间隙。源极区设置于串接的存储单元的一侧的基底中。漏极区设置于行选择单元一侧的基底中。多条选择线连接同一列的行选择单元的栅极。多条字线连接同一列的存储单元的栅极。多条源极线连接同一列的源极区。多条次位线连接同一行的漏极区。多条主位线分别连接多条次位线。多个次位线选择单元分别设置于次位线与主位线之间。 | ||
搜索关键词: | 挥发性 存储器 及其 操作方法 | ||
【主权项】:
1、一种非挥发性存储器,包括:一基底;一主位线,设置于该基底上:一次位线选择单元;一次位线,透过该次位线选择单元连接至该主位线;多条字线,以垂直于该次位线的方向平行排列,其中该些字线与该次位线的交点对应一存储单元行;一行选择单元,设置于该存储单元行的外侧;一第一掺杂区,设置于该行选择单元外侧的基底中,其中该存储单元行透过该第一掺杂区连接至该次位线;以及一第二掺杂区,设置于该存储单元行另一侧的基底中,其中该存储单元行包括:多个第一存储单元,该些第一存储单元与该行选择单元彼此以一间隙相隔;以及多个第二存储单元,各自设置于该间隙中,并透过多个绝缘间隙壁与该多个第一存储单元及该行选择单元串接在一起。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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