[发明专利]具有自行对准接触窗的半导体元件及其制造方法

摘要

一种具有自行对准接触窗的半导体元件的制造方法。首先，于基底上形成多个隔离结构，以定义出有源区。接着，于基底上形成多个栅极结构。然后，于各栅极结构侧边的基底中，形成多个掺杂区。之后，于各栅极结构的侧壁上，形成多个第一间隙壁，并且于各隔离结构的侧壁上，形成多个第二间隙壁。接下来，于基底上形成介电层。再来，进行自行对准工艺，以于相邻二栅极结构之间的介电层中，形成多个接触窗开口。之后，再于接触窗开口中填入导电材料。

主权项

1、一种具有自行对准接触窗的半导体元件的制造方法，包括：于一基底上形成多个隔离结构，而定义出一有源区，其中各该隔离结构的顶部与该基底表面相距一距离；于该基底上形成多个栅极结构；于各该栅极结构侧边的该基底中形成多个掺杂区；于各该栅极结构的侧壁上形成多个第一间隙壁，并且于各该隔离结构的侧壁上形成多个第二间隙壁；该基底上形成一介电层，覆盖该基底、该些栅极结构、该些隔离结构、该些第一间隙壁与该些第二间隙壁；进行一自行对准工艺，以于相邻二该些栅极结构之间的该介电层中形成多个接触窗开口，而暴露出该些掺杂区；以及于该些接触窗开口中填入一导电材料。