[发明专利]非挥发性存储器及其制造方法与操作方法

摘要

一种非挥发性存储器的制造方法，首先提供基底，并于基底上形成多个堆栈栅极结构，各个堆栈栅极结构之间具有间隙，各个堆栈栅极结构包括栅介电层、第一导体层与掩模层。接着，以掩模层为掩模蚀刻基底，以于基底中形成多个沟槽，这些沟槽平行排列，并在第一方向上延伸。移除掩模层后，于基底上形成复合介电层，此复合介电层包括底介电层、电荷陷入层与顶介电层。之后，于复合介电层上形成多个第二导体层，这些第二导体层填入沟槽中，这些第二导体层平行排列，并往第二方向延伸，第二方向与第一方向交错。

主权项

1、一种非挥发性存储器，包括：一基底，该基底中具有多个沟槽，该些沟槽平行排列，并往一第一方向延伸；多个选择栅极，分别设置于相邻两该些沟槽之间的该基底上；多个选择栅极介电层，设置于该些选择栅极与该基底之间；多个复合介电层，覆盖该些沟槽内的该基底表面；以及多条字线，分别设置于该复合介电层上，并填入两相邻该些选择栅极之间的该些沟槽，该些字线平行排列，并往一第二方向延伸，该第二方向与该第一方向交错。