[发明专利]非挥发性存储器及其制造方法与操作方法

摘要

一种非挥发性存储器，含有分别由第一存储单元与第二存储单元所构成的多个存储单元。第一存储单元设置于基底上。第二存储单元设置于第一存储单元一侧的侧壁与基底上。第一存储单元由配置于基底上的一第一控制栅极以及配置于第一控制栅极与基底之间的一复合层所构成。第二存储单元由配置于基底上的一对浮置栅极、配置此二浮置栅极上表面的第二控制栅极、配置于浮置栅极与第二控制栅极的栅间介电层、配置于浮置栅极与基底的穿隧介电层以及配置于控制栅极底部与基底之间的栅介电层所构成。

主权项

1、一种非挥发性存储单元，包括：一第一存储单元，配置于一基底上，该第一存储单元包括：一第一控制栅极，配置于该基底上；以及一第一复合层，配置于该第一控制栅极与该基底之间，该第一复合层从该基底依序为一第一介电层、一第一电荷陷入层与一第二介电层；一第一绝缘层，配置于该第一存储单元的一侧壁上；以及一第二存储单元，配置于该基底上，并透过该第一绝缘层与该第一存储单元相邻，该第二存储单元包括：一对浮置栅极，配置于该基底上；一第二控制栅极，配置在该二浮置栅极的上表面，其中该第二控制栅极的底部位于该二浮置栅极中间的该基底表面上；一栅间介电层，配置在各该浮置栅极与该第二控制栅极之间；一穿隧介电层，配置在各该浮置栅极与该基底之间；以及一第一栅介电层，配置于该第二控制栅极底部与该基底之间。