[发明专利]具有自行对准导线的结构及其制造方法无效
| 申请号： | 200510065596.4 | 申请日： | 2005-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN1855421A | 公开（公告）日： | 2006-11-01 |
| 发明（设计）人： | 许汉杰;张骕远;黄明山 | 申请（专利权）人： | 力晶半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3205;H01L21/76;H01L21/8234;H01L21/336;H01L29/78;H01L27/105;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种具有自行对准导线的结构及其制造方法，首先，提供一基底，此基底中已形成多个隔离结构，且隔离结构突出于基底表面，而相邻隔离结构间定义出一有源区，此有源区中已形成多个元件。接着，于基底上形成一导体材料层以覆盖隔离结构与有源区。之后，以隔离结构为移除终止层，移除部分导体材料层至暴露出隔离结构表面，而在有源区上自行形成多个导线以电连接元件。当元件的尺寸往下限缩时，自行对准导线的尺寸将不会受到光刻工艺的设计定律的限制，而可以有效地电连接半导体元件。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 自行 对准 导线 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种自行对准导线的制造方法，包括：提供一基底，该基底中已形成多个隔离结构，且该些隔离结构突出于该基底表面，而相邻该些隔离结构间定义出一有源区，该有源区中已形成多个元件；于该基底上形成一导体材料层以覆盖该些隔离结构与该有源区；以及以该些隔离结构为移除终止层，移除部分该导体材料层至暴露出该些隔离结构表面，而在该有源区上形成多个导线以电连接该些元件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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