[发明专利]快闪存储器及其制造方法

摘要

一种快闪存储器的制造方法，此方法先于基底上形成掩模层，此掩模层具有开口而暴露出部分的基底。之后，于开口底部形成穿隧介电层。接着，于开口的侧壁形成导体间隙壁。继之，图案化这些导体间隙壁，以形成多个浮置栅极。然后，于开口底部的基底中形成多个埋入式掺杂区。之后，于基底上形成栅间介电层。接着，于基底上形成填满开口的控制栅极。继之，移除掩模层，而形成多个储存单元。然后，于这些储存单元侧边的基底中形成多个源极区与漏极区。

主权项

1、一种快闪存储器的制造方法，包括：提供一基底；于该基底上形成一掩模层，该掩模层具有多个开口，而暴露出部分该基底；于该些开口底部形成一穿隧介电层；于该些开口的侧壁形成多个条状导体间隙壁；图案化该些条状导体间隙壁，以形成多个浮置栅极；以该些浮置栅极为掩模，于该些开口底部的该基底中形成多条埋入式掺杂区；于该基底上形成一栅间介电层；于该基底上形成填满该些开口的多个控制栅极；移除该掩模层，而形成多个储存单元；以及于该些储存单元侧边的该基底中形成多个源极区与多个漏极区。