[发明专利]栅极与具有此种栅极的快闪存储器的形成方法

摘要

一种栅极的形成方法，依序在基底上形成一栅极介电层、一导体层、一隔离保护层、一牺牲层以及一图案化掩模层。然后，利用图案化掩模层作为蚀刻掩模以及利用隔离保护层作为蚀刻中止层，移除暴露出的牺牲层，再移除图案化掩模层。接着，于牺牲层的侧壁上形成间隙壁，再利用间隙壁与牺牲层作为蚀刻掩模，移除部分的隔离保护层及导体层，以形成栅极。然后，去除牺牲层、间隙壁与隔离保护层。由于本发明在导体层上形成有隔离保护层，所以在增加栅极宽度的同时，可避免栅极的顶面在蚀刻牺牲层期间产生边角。

主权项

1.一种栅极的形成方法，包括：提供一基底，该基底上形成有一栅极介电层；于该栅极介电层上形成一导体层；于该导体层上形成一隔离保护层；于该隔离保护层上形成一牺牲层；于该牺牲层上形成一图案化掩模层，其中该图案化掩模层暴露出部分该牺牲层的表面；利用该图案化掩模层作为蚀刻掩模以及利用该隔离保护层作为蚀刻中止层，移除暴露出的该牺牲层；移除该图案化掩模层；于该牺牲层的侧壁上形成多个间隙壁；利用该些间隙壁与该牺牲层作为蚀刻掩模，移除部分的该隔离保护层及该导体层；去除该牺牲层与该些间隙壁；以及去除该隔离保护层。