[发明专利]导线的制造方法有效
申请号: | 200510065608.3 | 申请日: | 2005-04-18 |
公开(公告)号: | CN1855387A | 公开(公告)日: | 2006-11-01 |
发明(设计)人: | 张骕远;黄明山;许汉杰 | 申请(专利权)人: | 力晶半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/3205 | 分类号: | H01L21/3205;H01L21/768 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种导线的制造方法。此方法先提供一基底,基底上已形成一层多晶硅层。然后,于多晶硅层上形成一层掩模层,其具有一开口暴露出多晶硅层。接着,于掩模层的侧壁形成间隙壁。继而,以具有间隙壁的掩模层为掩模,移除部分多晶硅层,以暴露出基底。之后,再于基底上形成填满开口的绝缘层,绝缘层与掩模层具有不同蚀刻选择性。接下来,移除掩模层,以暴露出多晶硅层。然后,于多晶硅层表面形成一金属硅化物层。 | ||
搜索关键词: | 导线 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种导线的制造方法,包括:提供一基底,该基底上已形成有一多晶硅层;于该多晶硅层上形成一掩模层,该掩模层具有一开口暴露出该多晶硅层;于该掩模层的侧壁形成一间隙壁;以具有该间隙壁的该掩模层为掩模,移除部分该多晶硅层,以暴露出该基底;于该基底上形成填满该开口的一绝缘层,该绝缘层与该掩模层具有不同蚀刻选择性;移除该掩模层,以暴露出该多晶硅层;以及于该多晶硅层表面形成一金属硅化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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