[发明专利]导线的制造方法有效

专利信息
申请号: 200510065608.3 申请日: 2005-04-18
公开(公告)号: CN1855387A 公开(公告)日: 2006-11-01
发明(设计)人: 张骕远;黄明山;许汉杰 申请(专利权)人: 力晶半导体股份有限公司
主分类号: H01L21/3205 分类号: H01L21/3205;H01L21/768
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波;侯宇
地址: 台湾省*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种导线的制造方法。此方法先提供一基底,基底上已形成一层多晶硅层。然后,于多晶硅层上形成一层掩模层,其具有一开口暴露出多晶硅层。接着,于掩模层的侧壁形成间隙壁。继而,以具有间隙壁的掩模层为掩模,移除部分多晶硅层,以暴露出基底。之后,再于基底上形成填满开口的绝缘层,绝缘层与掩模层具有不同蚀刻选择性。接下来,移除掩模层,以暴露出多晶硅层。然后,于多晶硅层表面形成一金属硅化物层。
搜索关键词: 导线 制造 方法
【主权项】:
1、一种导线的制造方法,包括:提供一基底,该基底上已形成有一多晶硅层;于该多晶硅层上形成一掩模层,该掩模层具有一开口暴露出该多晶硅层;于该掩模层的侧壁形成一间隙壁;以具有该间隙壁的该掩模层为掩模,移除部分该多晶硅层,以暴露出该基底;于该基底上形成填满该开口的一绝缘层,该绝缘层与该掩模层具有不同蚀刻选择性;移除该掩模层,以暴露出该多晶硅层;以及于该多晶硅层表面形成一金属硅化物层。
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