[发明专利]利用单一蚀刻步骤形成硅尖角以及形成浮置栅极的方法无效
| 申请号： | 200510065614.9 | 申请日： | 2005-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN1855383A | 公开（公告）日： | 2006-11-01 |
| 发明（设计）人： | 陈志铭;谢荣源;刘庆冀 | 申请（专利权）人： | 力晶半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭露一种利用单一蚀刻步骤形成硅尖角的方法，并可用于形成浮置栅极的尖角以提高其数据抹除效率。本发明包括：提供一含有一硅层的基底；将该基底置于一蚀刻机器的反应室中；以及利用一蚀刻气体凹蚀上述硅层，使被蚀刻的硅层中间低于两侧以构成一对硅尖角，其中该蚀刻气体包含(1)氯气及/或(2)氧气/氦气以形成底部无凹缝的硅尖角。本发明亦可通过控制蚀刻气体组成与比例以及蚀刻机器的射频功率，以控制上述硅尖角形成一角度。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 单一 蚀刻 步骤 形成 硅尖角 以及 栅极 方法 | ||
【主权项】：
1、一种利用单一蚀刻步骤形成硅尖角的方法，包括：提供一含有一硅层的基底；将该基底置于一蚀刻机器的反应室中；以及以一蚀刻气体凹蚀上述硅层，使被蚀刻的硅层中间低于两侧以构成一对硅尖角，其中该蚀刻气体包含(1)氯气及/或(2)氧气/氦气以形成底部无凹缝的硅尖角。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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