[发明专利]高压工作场效应晶体管、用于该晶体管的偏置电路以及高压电路有效
| 申请号： | 200510065663.2 | 申请日： | 2005-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN1819266A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | 长谷川尚;吉田宜史;小山内润;林丰 | 申请（专利权）人： | 精工电子有限公司;林丰 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/088;H01L27/06;H03F1/00;H03K17/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 梁永 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 通过利用用于IC或者LSI的标准电源电压的晶体管的组成部分或者处理技术，一种高压工作场效应晶体管形成在IC或者LSI。为了增加场效应晶体管的工作电压，采取一些措施，其中栅极被分成分栅极，并且电位分别被提供给更靠近漏极的分栅极，其中该电位更接近漏极电位并且根据漏极电位的增加或减小而改变。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 工作 场效应 晶体管 用于 偏置 电路 以及 | ||
【主权项】：
1、一种高压工作场效应晶体管，包括：衬底；在衬底的表面上相互分隔开的源极区域和漏极区域；位于源极区域和漏极区域之间的衬底的表面上的半导体沟道成形区域；位于沟道成形区域上方的多个分栅极，该多个分栅极通过在源极/漏极方向分割而获得；以及在沟道成形区域和多个分栅极之间的多个栅极绝缘膜，其中信号电位被提供给多个分栅极中最靠近源极区域的分栅极，并且偏置电位被分别这样提供给各个分栅极，即比最靠近源极区域的分栅极更靠近漏极区域的分栅极，其中每个偏置电位具有等于或者大于特定电位的绝对值，每个偏置电位根据漏极电位的增加或者减小而改变，并且越靠近漏极区域上述每个偏置电位的绝对值就越大。
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