[发明专利]半导体存储装置无效
| 申请号： | 200510065716.0 | 申请日： | 2005-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN1697184A | 公开（公告）日： | 2005-11-16 |
| 发明（设计）人： | 滝川浩;川内功一;镰仓智子;野村和央;川本和幸;今西信隆 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明获得一种不减小浮栅的栅极宽度即可缩小存储器阵列块的面积的半导体存储装置。多个选通栅(104)沿X线方向呈直线状延伸。在上侧的选通栅(104)和下侧的选通栅(104)之间设置有相当于2行的浮栅(103)。多个浮栅(103)相互交替(换言之交错状)配置。即，观察属于某特定列的浮栅(103)(例如浮栅(103s))和属于与该特定列相邻的列的浮栅(103)(例如浮栅(103t))时，浮栅(103s)和浮栅(103t)在Y方向上相互错开地配置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，具有：沿第1方向延伸的选通栅；和与所述选通栅成对的多个浮栅，所述多个浮栅包括：第1浮栅；和与所述第1浮栅相邻的第2浮栅，其在与所述第1方向垂直的第2方向上与所述第1浮栅相错开地配置。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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