[发明专利]一种紫外线检测装置有效
| 申请号： | 200510065762.0 | 申请日： | 2005-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN1848461A | 公开（公告）日： | 2006-10-18 |
| 发明（设计）人： | 徐星全 | 申请（专利权）人： | 香港理工大学 |
| 主分类号： | H01L31/09 | 分类号： | H01L31/09;G01J1/02 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王玉双;王艳江 |
| 地址： | 香港九*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
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| 摘要： | 一种紫外线检测装置，包括如下的结构：一蓝宝石基底层；一高温氮化铝缓冲层，生长在该蓝宝石基底层之上；一中温氮化镓缓冲层，生长在该高温氮化铝缓冲层之上；一氮化镓外延层，沉积在该中温氮化镓缓冲层之上；一肖特基结层，形成在该氮化镓外延层之上；多个电阻触点，也形成在该氮化镓外延层上；该高温氮化铝缓冲层和该中温氮化镓缓冲层形成了双重缓冲层结构，从而提高了该紫外线检测装置的稳定性和耐辐射性。其中该高温氮化铝缓冲层和该中温氮化镓缓冲层由射频等离子体增强分子束磊晶成长技术形成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 紫外线 检测 装置 | ||
【主权项】：
1、一种紫外线检测装置，其特征在于，包括如下的结构：一蓝宝石基底层；一高温氮化铝缓冲层，生长在该蓝宝石基底层之上；一中温氮化镓缓冲层，生长在该高温氮化铝缓冲层之上；一氮化镓外延层，沉积在该中温氮化镓缓冲层之上；一肖特基结层，形成在该氮化镓外延层之上；多个电阻触点，也形成在该氮化镓外延层上；该高温氮化铝缓冲层和该中温氮化镓缓冲层形成了双重缓冲层结构，从而提高了该紫外线检测装置的稳定性和耐辐射性，其中该高温氮化铝缓冲层和该中温氮化镓缓冲层由射频等离子体增强分子束磊晶成长技术形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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