[发明专利]高强度高导电性铜合金无效
| 申请号： | 200510065789.X | 申请日： | 2005-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN1683579A | 公开（公告）日： | 2005-10-19 |
| 发明（设计）人： | 卫藤雅俊;大久保光浩;远藤智 | 申请（专利权）人： | 日矿金属加工株式会社 |
| 主分类号： | C22C9/06 | 分类号： | C22C9/06;C22C1/02;C22F1/08 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 郭煜;庞立志 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种弯曲加工性优良、高强度、高导电性的电子部件用铜合金。同时具有弯曲加工性优良、高强度、高导电性的半导体仪器的电子部件用高强度高导电性铜合金，按照质量比，含有Ni：1.5％以上4.0％以下、Si：0.15％以上1.0％以下，Ni和Si的含量比Ni/Si为3以上7以下，O为0.0050％以下，剩余部分由Cu和不可避免的杂质构成，其特征在于，对于Ni－Si系析出物的大小，设长径为a、短径为b时，a为20nm以上200nm以下且长宽比a/b为1以上3以下的析出物，按照在铜合金中含有的总析出物的面积率计算，占80％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 强度 导电性 铜合金 | ||
【主权项】：
1.一种同时具有优良的强度、导电率、弯曲加工性的电子部件用高强度高导电性铜合金，按照质量比，其含有Ni：1.5％以上4.0％以下、Si：0.15％以上1.0％以下，Ni和Si的含量比Ni/Si为3以上7以下，O为0.0050％以下，剩余部分由Cu和不可避免的杂质构成，其特征在于，设长径为a、短径为b时，a为20nm以上200nm以下且长宽比a/b为1以上3以下的Ni-Si系析出物，按照在铜合金中含有的总析出物的面积率计算，占80％以上。
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