[发明专利]一维竹节状硅纳米材料及其制备方法无效
申请号: | 200510065815.9 | 申请日: | 2005-04-08 |
公开(公告)号: | CN1696057A | 公开(公告)日: | 2005-11-16 |
发明(设计)人: | 杨勇;李晨;刘增涛;辜驰 | 申请(专利权)人: | 厦门大学 |
主分类号: | C01B33/021 | 分类号: | C01B33/021;B82B3/00 |
代理公司: | 厦门南强之路专利事务所 | 代理人: | 马应森 |
地址: | 361005福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 一维竹节状硅纳米材料及其制备方法,涉及一种硅纳米材料,尤其是一维竹节状硅纳米材料和制法。提供一维竹节状空心硅纳米材料及制法。为具有一维线状结构的材料,外径50~200nm,内部为空心竹节状结构。其步骤为用阳极氧化法制备多孔氧化铝模板;用交流电沉积法在模板孔洞底部沉积金;用NaOH溶液将模板溶解,留下具有纳米级的金颗粒,并蒸馏水抽滤清洗,将金颗粒转移至无水乙醇中,形成无水乙醇作分散剂的金的单分散溶液;将装有金催化剂的瓷舟作为生长硅的基底,将其放入管式炉中央,通入SiH4、H2的混合气体,在瓷舟内壁上形成淡黄色的一维竹节状空心硅纳米材料,关闭SiH4气体,停止加热,自然冷却至室温,反应过程结束。 | ||
搜索关键词: | 竹节 纳米 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一维竹节状硅纳米材料,其特征在于为具有一维线状结构的材料,外直径为50~200nm,内部为空心结构,内部空心结构为竹节状结构。
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