[发明专利]构造集成电路的方法和相应的集成电路有效
| 申请号： | 200510065986.1 | 申请日： | 2005-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN1697155A | 公开（公告）日： | 2005-11-16 |
| 发明（设计）人： | 亚历山大·马丁;戴维·比利亚努埃瓦;弗雷德里克·萨尔韦蒂 | 申请（专利权）人： | ST微电子公司;皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/764 | 分类号： | H01L21/764;H01L21/76 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 法国蒙*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种构造集成电路(IC)的方法，包括在衬底(1)内创建中空隔离沟(2)和在衬底的有源区(12)中和上制造有源组件(5)，在所述沟(2)之间存在定位，其特征在于：沟(2)的创建包括：初始阶段，在制造有源组件(5)之前执行，且包括在衬底(1)中形成沟(2)和以填充材料(4)来填充沟(2)；以及最终阶段，在制造有源组件(5)之后执行，且包括有源组件(5)的封装(6)、通过封装材料(6)创建对每一个填充沟的进口(64)、通过每一个进口来去除填充材料(4)、以及通过相应的进口(64)来插塞每一个沟的开口。 | ||
| 搜索关键词： | 构造 集成电路 方法 相应 | ||
【主权项】：
1.一种构造集成电路(IC)的方法，包括在衬底(1)内创建中空隔离沟(2)和在衬底的有源区(12)中和上制造有源组件(5)，在所述沟(2)之间存在定位，其特征在于：沟(2)的创建包括：在制造有源组件(5)之前执行的初始阶段，且包括在衬底(1)中形成沟(2)和以填充材料(4)来填充沟(2)；以及最终阶段，在制造有源组件(5)之后执行，且包括有源组件(5)的封装(6)、通过封装材料(6)创建对每一个填充沟的进口(64)、通过每一个进口来去除填充材料(4)、以及通过相应的进口(64)来插塞每一个沟的开口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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