[发明专利]在无织构的金属基带上制备YBCO高温超导薄膜的方法无效
申请号: | 200510066045.X | 申请日: | 2005-04-22 |
公开(公告)号: | CN1670255A | 公开(公告)日: | 2005-09-21 |
发明(设计)人: | 周岳亮;王淑芳;刘震;赵嵩卿;韩鹏;吕惠宾;陈正豪;金奎娟;杨国桢 | 申请(专利权)人: | 中国科学院物理研究所 |
主分类号: | C23C30/00 | 分类号: | C23C30/00 |
代理公司: | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 尹振启 |
地址: | 100080北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种在无织构的金属基带上制备YBCO高温超导薄膜的方法,该方法首先在无织构金属基带上制备织构的YBCO缓冲层,然后以此为模板外延氧化物缓冲层和高温超导薄膜;在制备织构的YBCO缓冲层时,利用磁场可以使具有各向异性顺磁磁化率的YBCO晶粒在平行于磁场方向沿c轴取向生长的原理,在平行于基片方向加一外磁场,以使YBCO在垂直于基片的方向上呈织构生长;然后以此为模板,在织构的YBCO缓冲层上外延YSZ和CeO2缓冲层,进而制备YBCO超导薄膜;该方法为在无织构的金属基带上外延YBCO薄膜提供了一种方法。 | ||
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【主权项】:
1.一种在无织构的金属基带上制备YBCO高温超导薄膜的方法,包括以下步骤:1)将机械抛光后的无织构的金属基带用纯度为99.99%的丙酮、酒精、去离子水超声处理后放置在反应室中的加热器上,并将加热器放置在可控磁场中;2)根据已知方法,向反应室内充入氢氩(H2+Ar)混合气体,并进行除去无织构的金属基带表面氧化物杂质操作;3)将反应室中混合气体的压强降到0.5-1.5Pa,并将基片温度升高到800-850℃,利用已知方法开始沉积30-50nm的YBCO缓冲层,同时施加0.2-8T磁场,磁场方向平行于基片;4)将反应室内的氢、氩混合气体抽出,并充入纯度为99.99%的高纯氧,去掉磁场,将反应室气压调整为60-70Pa,基片温度升高到850-870℃,利用已知方法在所述YBCO缓冲层表面沉积YBCO超导薄膜。
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