[发明专利]画素结构及其修补方法有效
| 申请号： | 200510066175.3 | 申请日： | 2005-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN1673842A | 公开（公告）日： | 2005-09-28 |
| 发明（设计）人： | 黄韦凯;陈奕任;赖梓杰;王炯宾 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136;G02F1/133;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种画素结构，包括主动元件、画素电极、下电极、多个上电极、第一介电层以及第二介电层。其中，画素电极与主动元件电性连接，下电极配置于画素电极下方，而上电极配置于下电极与画素电极之间，且上电极与画素电极电性连接。上电极与下电极重迭的总面积为A，而画素电极与每一上电极重迭的部分包括接触区以及备用区，且备用区的总面积为B。另外，第一介电层配置于下电极与上电极之间，而第二介电层配置于上电极与画素电极之间，其中第一介电层的介电常数与厚度分别为ε1、d1，而第二介电层的介电常数与厚度分别为ε2、d2，且0.5＜(ε1·d2·A)/(ε2·d1·B)＜1.5。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 及其 修补 方法 | ||
【主权项】：
1、一种画素结构，适于与一扫瞄配线以及一资料配线电性连接，其特征在于其包括：一主动元件；一画素电极，与该主动元件电性连接；一下电极，配置于该画素电极下方；多个上电极，配置于该下电极与该画素电极之间，且该上电极是与该画素电极电性连接，其中该上电极与该下电极重迭的总面积为A，而该画素电极与每一上电极重迭的部分包括一接触区以及一备用区，且该备用区的总面积为B；一第一介电层，至少配置于该下电极与该上电极之间，其中该第一介电层的介电常数为ε1，而该第一介电层的厚度为d1；；以及一第二介电层，至少配置于该上电极与该画素电极之间，其中该第二介电层的介电常数为ε2，而该第二介电层的厚度为d2，且0.5＜(ε1·d2·A)/(ε2·d1·B)＜1.5。
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