[发明专利]面射型激光二极管的制造方法有效

专利信息
申请号: 200510066204.6 申请日: 2005-04-21
公开(公告)号: CN1855651A 公开(公告)日: 2006-11-01
发明(设计)人: 张暐;陈怡德 申请(专利权)人: 东贝光电科技股份有限公司
主分类号: H01S5/18 分类号: H01S5/18
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 马娅佳
地址: 台湾省*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明为一种面射型激光二极管的制造方法,其制法主要包括下列步骤:a、将成排设有多组引脚的支架,以冲压头冲击每组引脚的其中一引脚,使该引脚端形成大面积的外扩面;b、再将一面射型激光芯片(Surface-Emitting LaserDiode)结合于该引脚的外扩面上;c、由打线连结芯片与其它引脚;d、将设有容置空间、缺槽与开槽的壳体套设于完成芯片结合与打线的支架上,由此完成面射型激光二极管的制作;以及e、将成排的支架与引脚间的连接段裁开,即可得多个激光二极管。
搜索关键词: 面射型 激光二极管 制造 方法
【主权项】:
1、一种面射型激光二极管的制造方法,其特征在于,包括下列步骤:a、将成排设有多组引脚的支架,以冲压头冲击每组引脚的其中一引脚,使该引脚端形成大面积的外扩面;b、再将一面射型激光芯片结合于外扩面上;c、由打线连结芯片与其它引脚;d、将设有容置空间、缺槽与开槽的壳体套设于完成芯片结合与打线的支架上,由此完成面射型激光二极管的制作;以及e、将成排的支架与引脚间的连接段裁开,即可得多个激光二极管。
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