[发明专利]磁性随机存取记忆体的写入线路及其制造方法有效
| 申请号： | 200510066413.0 | 申请日： | 2005-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN1691201A | 公开（公告）日： | 2005-11-02 |
| 发明（设计）人： | 林文钦;邓端理;赖理学;王昭雄 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;H01L27/10;H01L43/00 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是有关于一种磁性随机存取记忆体的写入线路及其制造方法，其中该磁性随机存取记忆体主要包括磁性穿隧式接面、第一写入线路以及正交于第一写入线路的第二写入线路，且第一写入线路与第二写入线路其中至少一者的宽度小于磁性穿隧式接面的宽度。本发明的写入线路的宽度小于MTJ晶胞质或是守护层，以增加MRAM记忆体阵列的磁场。此外，该方法还可减少因写入线路的不平坦CMP表的宽度，可以有效缩小MRAM记忆体所使用的面积。并且使用环绕的磁性材面而导致元件缺陷的可能性。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 随机存取 记忆体 写入 线路 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种磁性随机存取记忆体，其特征在于其至少包括：一磁性穿隧式接面；一第一写入线路；以及一第二写入线路，该第二写入线路是正交于该第一写入线路，且该第一写入线路与该第二写入线路其中至少一者的宽度是小于该磁性穿隧式接面的宽度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510066413.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：热接收装置和电子设备
- 下一篇：发光装置及其制造方法
