[发明专利]半反射膜或反射膜,光学信息记录介质和溅射靶材有效
申请号: | 200510066665.3 | 申请日: | 2005-04-21 |
公开(公告)号: | CN1691167A | 公开(公告)日: | 2005-11-02 |
发明(设计)人: | 高木胜寿;中井淳一;田内裕基 | 申请(专利权)人: | 株式会社神户制钢所 |
主分类号: | G11B7/24 | 分类号: | G11B7/24;B32B3/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 陈长会 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 考虑到这种情况,完成了本发明,且本发明的一个目的是发现显示通过纯Ag或通过常规Ag合金没有实现的水平的高耐内聚性、高耐光性、高耐热性、高反射率、高透射率、低吸光率,和高热传导率的Ag基合金,和在这种合金的基础上,提供一种具有优异写/读性能和长期使用可靠性的光学信息记录介质用半反射膜和反射膜;在沉积这种半反射膜和反射膜中使用的光学信息记录介质用溅射靶材;和一种配备有这种半反膜或反射膜的光学信息记录介质。光学信息记录介质用半反射膜或反射膜,其包含Ag基合金,其中Ag基合金包含0.005至0.40%(原子%,除非另外注明)的Bi和总量为0.05至5%的选自Zn、Al、Ga、In、Si、Ge和Sn中的至少一种元素。 | ||
搜索关键词: | 反射 光学 信息 记录 介质 溅射 | ||
【主权项】:
1.一种包含Ag基合金的光学信息记录介质用半反射膜或反射膜,其中Ag基合金包含0.005至0.40%(原子%,除非另外注明)的Bi和总量为0.05至5%的选自Zn、Al、Ga、In、Si、Ge和Sn中的至少一种元素。
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